취업준비/면접질문용9 반도체 8대 공정 - 산화공정 산화막(SiO2) - 웨이퍼의 보호막과 절연막 역할 산화공정(Oxidation) - 산화막을 형성해 회로와 회로사이에 누설전류가 흐르는 것을 차단 - 이온주입공정에서 확산 방지막 역할 - 식각공정에서 잘못 식각되는 것을 막는 식각 방지막 역할 - 웨이퍼는 대기 중 혹은 화학물질 내에서 산소에 노출되면 산화막 형성 - 열산화, 플라즈마 보강화확적 기상 증착(PECVD), 전기 화학적 양극 처리 방법 존재 열산화 산화공정 (Thermal Oxidation) - 800 ~ 1200의 고온에서 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 - 건식산화 : 순수한 산소(O2)만을 이용해 성장속도가 느려 얇은 막 형성할때 쓰이며, 전기적 특성이 우수해 Gate Oxidation에 적용 - 습신산화 : 산호(O2)와 함께 용해도.. 2021. 2. 11. 반도체 8대 공정 - 웨이퍼 제작 공정 웨이퍼(Wafer) - 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 썬 원판으로 대부분의 웨이퍼는 모래에서 추출한 규소, 즉 실리콘으로 제작 1. 잉곳 제작 (Ingot) - 순도를 높이는 정제 과정이 필요, 실리콘 원료를 뜨거운 열로 녹여 고순도의 실리콘 용액을 제작 후 성장시켜 굳히는 과정 - 만들어진 실리콘 기둥을 잉곳(Ingot) - 미세 공정일수록 잉곳은 초고순도의 잉곳을 사용 2. 잉곳 절판 (Water slicing) - 원판형의 웨이퍼로 만들기 위해 다이아몬드 톱을 이용해 균일한 두께로 얇게 써는 작업 - 두께가 얇아야 제조원가가 줄고, 지름이 클수록 반도체 칩 수가 증가 3. 웨이퍼 표면 연마 (Lappling&Polishing) - 절.. 2021. 2. 11. 반도체 8대 공정 반도체는 크게 8대 공정을 거치면서 하나의 반도체로 탄생 !!!! - 수백 번의 과정을 크게 8개의 공정으로 구분 1. 웨이퍼 제작 공정 - 실리콘 소재의 잉곳을 만들어 둥글한 원판 모양으로 제작 2. 산화 공정 - 불순물 확산 방지를 위해 웨이퍼 표면에 산화막을 형성 3. 포토 공정 - 웨이퍼 위에 내가 원하는 회로를 생성 4. 식각 공정 - 불필요한 부분을 제거 5. 증착 및 이온 공정 - 불순물(절연체)를 넣어 회로를 분리 6. 금속배선 공정 - 회로에 따란 금속선을 연결 7. 테스트 공정 - 불량품 검사 8. 패키징 공정 - 반도체 보호를 위한 포장 2021. 2. 11. 이전 1 2 다음
