반도체 8대 공정 - 산화공정

산화막(SiO2)

- 웨이퍼의 보호막과 절연막 역할

 

산화공정(Oxidation)

- 산화막을 형성해 회로와 회로사이에 누설전류가 흐르는 것을 차단

- 이온주입공정에서 확산 방지막 역할

- 식각공정에서 잘못 식각되는 것을 막는 식각 방지막 역할

- 웨이퍼는 대기 중 혹은 화학물질 내에서 산소에 노출되면 산화막 형성

- 열산화, 플라즈마 보강화확적 기상 증착(PECVD), 전기 화학적 양극 처리 방법 존재

 

열산화 산화공정 (Thermal Oxidation)

- 800 ~ 1200의 고온에서 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성

- 건식산화 : 순수한 산소(O2)만을 이용해 성장속도가 느려 얇은 막 형성할때 쓰이며, 전기적 특성이 우수해 

Gate Oxidation에 적용

- 습신산화 : 산호(O2)와 함께 용해도가 큰 수증그(H2O)를 함께 사용해 성장속도가 빠르고 두꺼운 막을 형성하지만, 건식 산화에 비해 산화층에 밀도 낮음

- 보통 동일 조건 시 습식산화가 건식산화보다 약 5~10배 정도 두꺼움