반도체 8대 공정 - 금속 배선 공정

금속 배선 공정

- 회로 동작을 위해 외부에서 가해준 전기적 신호를 잘 전달되도록 반도체 회로 패턴에 따라 전기길(금속선)을 연결

 

- 금속선(Metal Line) 조건

- 조건을 만족하는 금속 : 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 등 존재

 

알루미늄

- 산화막과의 부착성이 좋고 가공성이 뛰어남

- 실리콘과 만나면 서로 섞이려는 성질이 있어 접합면이 파괴되는 현상 발생 

-> 방지를 위해 알루미늄과 웨이퍼 접합면 사이에 장벽 역할을 하는 금속을 증착, 이를 베리어 메탈(Barrier Metal)이라고 함, 이중으로 박막을 형성해 접합면이 파괴되는 것을 방지

 

- 금속 배선 역시 증착을 통해 만듬

1. 금속을 진공 챔버에 넣고 낮은 압력에서 끓이거나 전기적 충격을 주면 금속은 증기 상태가 됨

2. 웨이퍼를 진공 챔버에 넣으면 얇은 금속막이 형성