삼성반도체이야기 #산화공정 #산화막1 반도체 8대 공정 - 산화공정 산화막(SiO2) - 웨이퍼의 보호막과 절연막 역할 산화공정(Oxidation) - 산화막을 형성해 회로와 회로사이에 누설전류가 흐르는 것을 차단 - 이온주입공정에서 확산 방지막 역할 - 식각공정에서 잘못 식각되는 것을 막는 식각 방지막 역할 - 웨이퍼는 대기 중 혹은 화학물질 내에서 산소에 노출되면 산화막 형성 - 열산화, 플라즈마 보강화확적 기상 증착(PECVD), 전기 화학적 양극 처리 방법 존재 열산화 산화공정 (Thermal Oxidation) - 800 ~ 1200의 고온에서 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 - 건식산화 : 순수한 산소(O2)만을 이용해 성장속도가 느려 얇은 막 형성할때 쓰이며, 전기적 특성이 우수해 Gate Oxidation에 적용 - 습신산화 : 산호(O2)와 함께 용해도.. 2021. 2. 11. 이전 1 다음
